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NSS12600CF8T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NSS12600CF8T1G |
| 參數(shù)屬性 | NSS12600CF8T1G 封裝/外殼為8-SMD，扁平引線；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 12V 5A CHIPFET |
| 功能描述 | 12 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封裝外殼 | 8-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
102.78 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-12 16:57:00 |
NSS12600CF8T1G規(guī)格書詳情
NSS12600CF8T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSS12600CF8T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NSS12600CF8T1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
170mV @ 400mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
100MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
ChipFET?
- 描述：
TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu) |
詢價 | ||
ON |
11+ |
3395 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
N-STAR |
22+23+ |
TSOP |
43382 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
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N-STAR |
TSOP |
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N-STAR |
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N-STAR |
24+ |
TSOP |
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PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
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ONSemiconductor |
24+ |
ChipFET |
7500 |
詢價 |
