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NP36P06KDG-E1-AY規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?18 A)
RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?18 A)
? Low input capacitance
Ciss = 3100 pF TYP.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NP36P06KDG-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
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RENESAS/瑞薩 |
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TO-263 |
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Renesas |
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TO-263 |
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Renesas |
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NEC |
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TO-252 |
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