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NP36P04KDG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP36P04KDG-E1-AY
廠商型號

NP36P04KDG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

189.66 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 16:55:00

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NP36P04KDG-E1-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?18 A)

RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?18 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2800 pF TYP.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP36P04KDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -40V -36A TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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