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NP30N06QDK	文件：616.87 Kbytes Page：9 Pages	60 V ??30 A ??Dual N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NTD30N06	文件：259.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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更多NP30N06QDK供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 11:06:00

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