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NP33N06YDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) ?LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP33N06YDG-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 15:00:00

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