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RLPGB15N120CT	文件：683.19 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,15A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=15A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SGB15N120	文件：841.74 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SGH15N120RUF	文件：495.41 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGH15N120RUFD	文件：556.76 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGP15N120	文件：407.98 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS ?NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKW15N120	文件：415.35 Kbytes Page：13 Pages	FASTIGBTINNPT-TECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARALLELEmConDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TSG15N120	文件：450.28 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSG15N120CN	文件：450.28 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

詳細(xì)參數(shù)

型號：
NGTB15N120FLWG
功能描述：
IGBT 晶體管 1200V/15A IGBT SOLAR/UPS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多NGTB15N120FLWG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 10:01:00

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