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NGTB60N60SWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB60N60SWG

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 120A 298W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NP60N60VDK

60V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NST60N60SJ

N-ChannelPowerMOSFET60A/600V

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

PS60N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-60Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導體深圳市矽萊克半導體有限公司

RLFTPGB60N60CT

N-CHANNELIGBT

APPLICATIONS Weldingconverters PowerFactorCorrection AirCondition FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?RoHSproduct

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLPGB60N60CT

IGBT

Features ?600V,60A ?VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=60A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SSG60N60

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSG60N60N

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSG60N60NDB

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB60N60SWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    1.41mJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    87ns/180ns

  • 測試條件:

    400V,60A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 120A 298W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSemiconductor
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NA
3073
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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ON
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ON/安森美
23+
TO-247
20000
原裝正品 歡迎咨詢
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更多NGTB60N60SWG供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 14:16:00