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NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB50N60FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 50A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG50N60FLWG	文件：170.49 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
RM50N60DF	文件：228.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60DFV	文件：1.51858 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60IP	文件：484.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LDV	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60TI	文件：424.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures Vds=60Vo=50A Rds(on)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SGL50N60	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGL50N60RUF	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：623.54 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGL50N60RUFDTU	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NGTB50N60FLWG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
散裝
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，50A
開關(guān)能量：
1.1mJ（開），600μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
116ns/292ns
測試條件：
400V，50A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 50A TO247

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	NGTB50N60FLWG	ON/安森美	24+	TO247	17	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	NGTB50N60FLWG	ON/安森美	21+	TO247	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	NGTB50N60FLWG	ON	17+	TO-3P	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NGTB50N60FLWG	ON	24+	SMD	12000	原廠/代理渠道價格優(yōu)勢	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	NGTB50N60FLWG	ON	22+23+	TO-247	34935	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市錦喆鴻電子有限公司	NGTB50N60FLWG	安森美	21+	TO-3P	12588	原裝正品,自己庫存	詢價
深圳市納立科技有限公司	NGTB50N60FLWG		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市賽芯源科技有限公司	NGTB50N60FLWG	ON	19+	TO-247	32000	原裝正品,現(xiàn)貨特價	詢價
深圳市芯祺盛科技有限公司	NGTB50N60FLWG	ON/安森美	1803+	TO247	5316	向鴻原裝現(xiàn)貨庫存,代理渠道可原廠發(fā)貨-優(yōu)勢	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	NGTB50N60FLWG	ON/安森美	21+	TO3P	19000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價

更多NGTB50N60FLWG供應(yīng)商更新時間2024-12-26 16:36:00

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