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NE699M01-T1_NEC/瑞薩_射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Hi Gain Amp一線半導(dǎo)體3部

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  • 廠家型號(hào)：

    NE699M01-T1

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3993

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-17 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NE699M01-T1品牌：NEC

  • 芯片型號(hào)：

    NE699M01-T1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱：

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    50.36 kb

  • 資料說(shuō)明：

    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE699M01-T1

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Hi Gain Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī)：

    17727932378

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

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