NE68819-T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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廠家型號：
NE68819-T1
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
CEL/California Eastern Labs
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
SOT-523
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-11-17 10:53:00

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原廠料號：NE68819-T1品牌：CEL

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NE68819-T1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝SOT-523的NE68819-T1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
NE68819-T1
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
NEC【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Electronics America
中文名稱：
日本瑞薩電子株式會社
內(nèi)容頁數(shù)：
19 頁
文件大小：
231.06 kb
資料說明：
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NE68819-T1
制造商：
CEL
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
頻率 - 躍遷：
5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
功率 - 最大值：
125mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3mA，1V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SOT-523
供應(yīng)商器件封裝：
3 針 SuperMiniMold（19）
描述：
RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機(jī)：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

NE68819-T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NE68819-T1

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