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NE699M01-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

DESCRIPTION TheNE699M01isanNPNhighfrequencysiliconepitaxialtransistor(NE687)encapsulatedinanultrasmall6pinSOT-363package.Itsfouremitterpinsdecreaseemitterinductanceresultingin3dBmoregaincomparedtoconventionalSOT-23andSOT-143devices.TheNE699M01isidealfor

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NE699M01-T1

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Hi Gain Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE699M01-T1供應(yīng)商 更新時間2025-5-17 8:30:00