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MUR410GP	文件：628.86 Kbytes Page：3 Pages	4 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 1000 Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MUR410GP-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：DO-201AD，軸向類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MUR410-LFR	文件：128.86 Kbytes Page：2 Pages	4AFASTEFFICIENTRECTIFIER 4AFASTEFFICIENTRECTIFIER FEATURES LOWPOWERLOSS,HIGHEFFICIENCY LOWLEAKAGE LOWFORWARDVOLTAGEDROP HIGHCURRENTCAPABILITY HIGHSPEEDSWITCHING HIGHRELIABILITY HIGHCURRENTSURGE GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION ROHS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MUR410PT	文件：79.81 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
MUR410RL	文件：67.89 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MUR410RLG	文件：67.89 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MUR410RLG	文件：118.9 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MUR410RLG	文件：194.45 Kbytes Page：9 Pages	Switch-ModePowerRectifiers Thesestate?of?the?artdevicesareaseriesdesignedforusein switchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features ?Ultrafast25ns,50nsand75nsRecoveryTimes ?175°COperatingJunctionTemperature ?LowForwardVoltage ?LowLeakageCurrent ?HighTemperatureG	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURC410	文件：285.43 Kbytes Page：4 Pages	MURC405-MURC460UltrafastSiliconDie	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
MURS410	文件：702.06 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
MURS410	文件：176.19 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MURS410	文件：149 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MURS410	文件：157.77 Kbytes Page：2 Pages	4.0ASURFACEMOUNTULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
NBB-410	文件：45.78 Kbytes Page：4 Pages	BiasSchemeforNBB-SeriesAmplifiers Introduction RFMD’sNBB-seriesamplifiersaremonolithicintegratedcircuits(ICs)usingInGaP/GaAsHBTtechnology.TheNBB-seriesusesaDarlington-pairtransistorconfigurationwithbiasandfeedbackresistorsproperlyselectedtodeterminethegain,inputandoutputmatchandbias(bothvoltag	RFMD RF Micro Devices	RFMD
NDB410A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410A	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB410AE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410AE	文件：344.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB410B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410B	文件：344.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多MUR410GP供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 10:18:00

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