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MTB50N06V	文件：332.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB50N06V	文件：289.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50N06V	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB50N06VL	文件：249.58 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50N06VL	文件：264.56 Kbytes Page：10 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50N06	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06E	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP50N06EL	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06EL	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP50N06L	文件：979.47 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP50N06V	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06V	文件：979.45 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP50N06V	文件：207.07 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50N06V	文件：112.94 Kbytes Page：2 Pages	TMOSV??PowerFieldEffectTransistor TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP50N06V	文件：332.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP50N06VL	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06VL	文件：208.75 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50N06VL	文件：1.13263 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTB50N06L		24+		5000	公司存貨	詢價
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更多MTB50N06L供應(yīng)商更新時間2024-11-17 16:00:00

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