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MSW20N50

500V N-Channel MOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTV20N50E

TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.240OHM

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTV20N50E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTV20N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW20N50E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTW20N50E

TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.24OHM

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW20N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTY20N50E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCE20N50

SuperJunctionMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE20N50F

SuperJunctionMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多MSW20N50供應(yīng)商 更新時間2025-3-22 10:02:00

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