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MSW20N60	文件：480.56 Kbytes Page：4 Pages	500V N-Channel MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NCE20N60	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N60F	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
P20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
PCFC20N60W	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
PSM20N60CT	文件：955.76 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60CTB	文件：993.67 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
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PSM20N60PT	文件：1.02969 Mbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RLBGB20N60	文件：806.53 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS, general	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLFGB20N60CT	文件：494.23 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.6V,IC=20AandTC=25°C APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLGB20N60CT	文件：471.1 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features ?600V,20A ?VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLPGB20N60CT	文件：814.08 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features ?600V,20A ?VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UP	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLTPGB20N60CT	文件：674.68 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.85VIC=20AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
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RMD20N60DFV	文件：288.37 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SD20N60	文件：1.1053 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SD20N60	文件：1.9811 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多MSW20N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 11:09:00

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