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MRF282ZR1

RF Power Field Effect Transistors

DesignedforClassAandClassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesupto2600MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. ?SpecifiedTwo-TonePerformance@2000MHz,26Volts OutputPoweró10WattsPEP PowerGainó10.5dB

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF282ZR1

包裝:托盤 封裝/外殼:NI-200Z 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF282ZR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200Z

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200Z

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF282ZR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 15:01:00