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MRF19090分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF19090
廠商型號(hào)

MRF19090

參數(shù)屬性

MRF19090 封裝/外殼為NI-880S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-880S

文件大小

350.65 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-11 9:48:00

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MRF19090規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications.

? Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 9 Watts Avg.

Power Gain — 10 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: -55 dBc @ 1 MHz BW

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 90 Watts CW Output Power

Features

? Internally Matched for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF19090SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    90W

  • 封裝/外殼:

    NI-880S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-880S

  • 描述:

    FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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