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MMFT2955E	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MMFT2955E	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT2955ET1	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT2955ET1G	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT2955ET3	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MSU2955	文件：71.36 Kbytes Page：1 Pages	8-BitMicro-controller 8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽臺灣茂矽電子股份有限公司	MOSEL
MTD2955E	文件：243.69 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD2955E	文件：346.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTD2955E	文件：213.25 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffect	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD2955V	文件：148.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistorDPAKForSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD2955V	文件：380.7 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
MTD2955V	文件：74.89 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET12A,60VP-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD2955V	文件：345.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTD2955VG	文件：74.89 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET12A,60VP-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD2955VG	文件：1.00428 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP2955	文件：116.6 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2955D	文件：116.6 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2955E	文件：207.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2955E	文件：301.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP2955V	文件：393.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsi.e.powersuppliesandpowermotorcontrols. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(ON)specifications.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
MMFT2955E
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鼎欣微電子有限公司	MMFT2955E	ON/安森美	21+	SOT-223	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	MMFT2955E	ON/安森美	24+	SOT-223	5000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	MMFT2955E	ON	1415+	SOT-223	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	MMFT2955E	ON	24+	SOT-223	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	MMFT2955E	ON	22+	SOT223	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電!	詢價
深圳市華來深電子有限公司	MMFT2955E	ON	23+	SOT-223	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MMFT2955E	0N	1822+	SOT-223	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!	詢價
深圳市賽芯源科技有限公司	MMFT2955E	0N	18+	SOT-223	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價	詢價
深圳市華睿芯科技有限公司	MMFT2955E	ON	23+	SOT-223	20000	原廠原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	MMFT2955E	ON	2023+	SOT-223	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多MMFT2955E供應商更新時間2024-10-25 9:03:00

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