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MTP2955V中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MTP2955V
廠商型號(hào)

MTP2955V

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

393.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-13 16:24:00

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MTP2955V規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This P-Channel MOSFET has been designed specifically for low voltage, high speed switching applications i.e. power supplies and power motor controls.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

Features

? -12 A, -60 V. RDS(ON) = 0.230 ? @ VGS = -10 V

? Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.

? Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.

? 175°C maximum junction temperature rating.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTP2955V

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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TO220
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正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
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原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅
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