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RKD703KL

SiliconSchottkyBarrierDiodeforhighSpeedSwitching

Features ?LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). ?Wecansupportthelineupofenvironmentalfriendlyhalogenfreetypeonyourdemand. ?ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RKD703KLR

SiliconSchottkyBarrierDiodeforhighSpeedSwitching

Features ?LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). ?Wecansupportthelineupofenvironmentalfriendlyhalogenfreetypeonyourdemand. ?ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RKD703KP

SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching

Features ?LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). ?Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. ?UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype)

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瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE703G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.8V @ 40mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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TO-225
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨
900
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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ON
23+
TO-126
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON Semiconductor
2010+
N/A
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更多MJE703G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 9:34:00