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MJD243

NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK?3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage? VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc ?HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD243

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD243

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD243

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector?EmitterSaturationVoltage,HighCurrent?Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

MJD243

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A ?ComplementtothePNPMJD253 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforlowpo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD243

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 4A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MJD243供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 10:11:00

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