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MJD243分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD243
廠商型號(hào)

MJD243
參數(shù)屬性

MJD243 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 4A DPAK
功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

923.19 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FOSHAN【藍(lán)箭電子】

中文名稱

佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-29 17:00:00
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MJD243規(guī)格書詳情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

Features

Low Collector?Emitter Saturation Voltage, High Current?Gain.

Applications

Low power audio amplifier, Low current, high speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD243

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 4A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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