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MJD210分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD210
廠商型號

MJD210
參數(shù)屬性

MJD210 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK
功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

236.97 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola【摩托羅拉】

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-4 23:00:00
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MJD210規(guī)格書詳情

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

MJD200 NPN

MJD210 PNP

NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

? High DC Current Gain — hFE= 70 (Min) @ IC= 500 mAdc

= 45 (Min) @ IC= 2 Adc

= 10 (Min) @ IC= 5 Adc

? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

? Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —VCE(sat)= 0.3 Vdc (Max) @ IC= 500 mAdc

= 0.75 Vdc (Max) @ IC= 2.0 Adc

? HighCurrent–Gain — Bandwidth Product — fT= 65 MHz (Min) @ IC= 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakage — ICBO= 100 nAdc @ Rated VCB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD210

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.8V @ 1A，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    45 @ 2A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    65MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 25V 5A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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