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MJD210	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJD210	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors ComplementaryPlasticPowerTransistors NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage?VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain?hFE	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210	文件：46.43 Kbytes Page：5 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?LowCollectorEmitterSaturationVoltage ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD210	文件：227.34 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max.)@IC=-0.5A ?ComplementtotheNPNMJD200 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforlow	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD210	文件：302.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD210	文件：164.99 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS ■DESCRIPTION TheUTCMJD210isdesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. ■FEATURE Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(SUS)=-25V(Min)@IC=-10mA HighDCCurrentGain hFE=70(Min)@IC=-500mA =45(Min)@IC=-2A =10(Min)@	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJD210	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJD210	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210-1	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJD210-I	文件：46.43 Kbytes Page：5 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?LowCollectorEmitterSaturationVoltage ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD210T4	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJD210_10	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJD210_15	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJD210G	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210G	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210G	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210G-TM3-T	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJD210G-TM3-T	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJD210
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
托盤
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
頻率 - 躍遷：
65MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
描述：
TRANS PNP 25V 5A DPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	MJD210	ON/安森美	24+		30000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	MJD210	ON/安森美	24+	TO-252	505348	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJD210	FAIRCHILD	24+	TO-252(DPAK)	8866		詢價
深圳市弘為電子有限公司	MJD210	MOTOROLA	16+		7860	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	MJD210	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價
深圳市英科美電子有限公司	MJD210	ONSEMI	2021+	N/A	6800	只有原裝正品	詢價
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	MJD210	FAIRCHILD	22+	原廠原封	2000	原裝現(xiàn)貨庫存.價格優(yōu)勢	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	MJD210	ON	22+	SOT252	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電!	詢價
深圳市華來深電子有限公司	MJD210	ON	23+	TO-252	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	MJD210	ON進(jìn)口原裝	22+23+	TO-252	55304	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價

更多MJD210供應(yīng)商更新時間2024-11-2 15:00:00

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