MJD200分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJD200 |
參數(shù)屬性 | MJD200 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 25V 5A DPAK |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
302.22 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-12 12:47:00 |
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MJD200規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 25V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A
APPLICATIONS
· Designed for use in general purpose amplifer and low
Speed switching applications
產品屬性
- 產品編號:
MJD200
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.8V @ 1A,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
45 @ 2A,1V
- 頻率 - 躍遷:
65MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SOP |
240 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
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SMD |
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原裝正品 |
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