MJD200中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MJD200 |
| 參數(shù)屬性 | MJD200 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 25V 5A DPAK |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 文件大小 |
302.22 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-2 18:28:00 |
MJD200規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 25V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A
APPLICATIONS
· Designed for use in general purpose amplifer and low
Speed switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MJD200
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
- 頻率 - 躍遷：
65MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
2020+ |
DPAK |
16800 |
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TO-252 |
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13475 |
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