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LMAK2N60	文件：1.72102 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
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MDD2N60	文件：968.56 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,1.9A,4.5ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD2N60RH	文件：968.56 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,1.9A,4.5ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
ME2N60	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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MTB2N60E	文件：269.88 Kbytes Page：10 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MTP2N60	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP2N60E	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2N60E	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage?blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE?FETisdesignedtowithstandhi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N60E	文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多LMAK2N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 8:02:00

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