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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MSU2N60	文件：780.35 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSU2N60S	文件：780.24 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB2N60E	文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB2N60E	文件：269.88 Kbytes Page：10 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTN2N60CFP	文件：526.45 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60DFP	文件：526.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60FP	文件：295.12 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP2N60	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP2N60	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP2N60E	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP2N60E	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage?blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE?FETisdesignedtowithstandhi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N60E	文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP2N60E	文件：1.08666 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NDT2N60	文件：1.66584 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
NDT2N60P	文件：1.64864 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
NJ2N60	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60A-LI	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60A-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60-BL	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MSU2P64-C16J	A	24+	PLCC-44	5		詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	MSU3032C40J	NULL	2020+	PLCC44	4500	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
標準國際(香港)有限公司	MSU312	MSU312		1915	1915		詢價
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深圳市晨豪科技有限公司	MSUA-001	ON/安森美	23+	SOP-16	89630	當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市弘為電子有限公司	MSUDZSTE-1716B	ATMEL	16+	N/A	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多MSU2N60供應(yīng)商更新時間2024-12-29 15:30:00

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