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LMAK80N03

Marking：AP80N03D；Package：TO-252；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMAK80N03A

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMD80N03A

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

MSD80N03

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

NP80N03CDE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP80N03CDE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP80N03CDE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP80N03CLE

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP80N03CLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP80N03CLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=26

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多LMAK80N03供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 15:00:00

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