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KSM4N60	文件：1.61726 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMF4N60	文件：1.63495 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KX4N60	文件：559.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
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MDD4N60BRH	文件：1.07626 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDD4N60RH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60	文件：986.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0? GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvanced MagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellent quality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeed switchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60B	文件：1.07617 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60BTH	文件：1.076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60TH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDIS4N60	文件：1.07584 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N60BTH	文件：1.07586 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多KIA4N60HI供應(yīng)商更新時間2024-11-15 15:00:00

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