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KX4N60F	文件：1.79592 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MDD4N60	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD4N60BRH	文件：1.07626 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDD4N60RH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60	文件：986.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0? GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvanced MagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellent quality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeed switchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60B	文件：1.07617 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60BTH	文件：1.076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60TH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDIS4N60	文件：1.07584 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N60BTH	文件：1.07586 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDP4N60TP	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ME4N60	文件：1.07619 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MGP4N60E	文件：124.46 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP4N60ED	文件：146.13 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MP4N60ER	文件：754.06 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?Lowgatecharge ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MP4N60ER-R-BR	文件：754.06 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?Lowgatecharge ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MS4N60	文件：872.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSD4N60	文件：1.20794 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF4N60	文件：944.28 Kbytes Page：8 Pages	MSF4N60600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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