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MDI4N60BTH	文件：1.076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60TH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDIS4N60	文件：1.07584 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N60BTH	文件：1.07586 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDP4N60TP	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
ME4N60	文件：1.07619 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MGP4N60E	文件：124.46 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP4N60ED	文件：146.13 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MP4N60ER-R-BR	文件：754.06 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?Lowgatecharge ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MS4N60	文件：872.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSD4N60	文件：1.20794 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	MDI4N60BTH	M	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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更多MDI4N60BTH供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 10:06:00

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