极限欧美日韩亚洲中文字幕二区,榴莲视频色版app下载

首頁 >JCW15N06D>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MTB15N06E	文件：231.14 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB15N06E	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：332.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：279.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTB15N06V	文件：274.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06V	文件：1.00427 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTD15N06V	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD15N06V	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06VL	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06VL	文件：273.42 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTM15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM15N06L	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：89.43 Kbytes Page：1 Pages	MTP15N05	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
MTP15N06L	文件：279.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP15N06V	文件：205.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTP15N06V	文件：163.98 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM NewFeaturesofTMOSV ?On–resistanceAreaProductaboutOne–halfthatofStandardMOSFETswithNewLowVoltage,LowRDS(on)Technology ?FasterSwitchingthanE–FETPredecessors FeaturesCommontoTMOSVandTMOSE–FETS ?Av	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

12 3 >>>

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	JCW15N06D	JCW	23+	DFN5*6	999999	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
上海金慶電子技術有限公司	JCW-1N23	WE	新		1	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市弘揚芯城科技有限公司	JCW-5E	EATON(伊頓)	23+		6000	誠信服務，絕對原裝原盤	詢價
深圳市一線半導體有限公司	JCX0227		24+	BGA	234		詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	JCX68JTOP20IDM51ZZZA1	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術有限公司	JCX68JTOP20IDM51ZZZA1	INFINEON	23+		7000		詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	JCXS156N	IC	2020+	SSOP36	2959	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	JCXS156N	原廠	13+	IC	1	普通	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	JCXS158N	TI	24+	SSOP36	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市華來深電子有限公司	JCXS158N	IC	23+	SSOP36	8650	受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!	詢價

更多JCW15N06D供應商更新時間2025-1-9 11:39:00

相關規(guī)格書

相關庫存