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MTB15N06E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB15N06E

TMOS POWER FET 15 AMPERES

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB15N06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB15N06V

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTB15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTD15N06V

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
24+
30000
詢價
ON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ON/安森美
22+
SOT263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
ON/安森美
2022+
SOT263
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原裝正品,支持實單
 詢價
ON/安森美
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
ON/安森美
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
ON/安森美
23+
TO-263
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ON/安森美
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ON/安森美
22+
TO-263
97114
詢價
更多MTB15N06E供應商 更新時間2025-6-25 15:30:00

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