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MTB15N06V中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MTB15N06V
廠商型號(hào)

MTB15N06V

功能描述

TMOS POWER FET 15 AMPERES

文件大小

274.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 16:42:00

MTB15N06V規(guī)格書詳情

TMOS V? Power Field Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM

TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density ofour

50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs, TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.

New Features of TMOS V

? On–resistance Area Product about One–half that of Standard

MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology

? Faster Switching than E–FET Predecessors

Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS

? Avalanche Energy Specified

? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature

? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTB15N06V

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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