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RLFGB30N60CT

IGBT

Features ?600V,30A ?VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswi

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

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RLPGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

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SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

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SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGH30N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SGH30N60RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

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SGP30N60

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SGP30N60

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SGP30N60

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTQ30N60P

  • 功能描述：

    MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-3P
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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專做原裝正品,假一罰百!
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IXYS/艾賽斯
21+
TO-247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IXTQ30N60P供應商 更新時間2025-3-28 18:23:00

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