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RLPGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

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SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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SGP30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

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HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY

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更多RLPGB30N60CT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 14:00:00

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