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IXTH16P60P

Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

C16P60F

20.0AmpereHeatsinkDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

C16P60FR

20.0AmpereHeatsinkDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers

Features ◆Lowforwardvoltagedrop ◆ThinkiSemimesatechnologywithhighefficiency ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,MotorControl,SMPSandUPS ◆CarAudi

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

DAM16P60B

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DAM16P60D

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

IXTR16P60P

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTT16P60P

PreliminaryTechnicalInformationPolarPTMPowerMOSFETP-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

RM16P60LD

60VP-ChannelMOSFETs

Features -60V,-16A,RDS(ON)=48m?VGS=-10V Improveddv/dtcapability Fastswitching 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTH16P60P

  • 功能描述：

    MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-247
68
詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
357
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 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
2021+
SMD
100500
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IXYS
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IXYS
22+
NA
357
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IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO2473
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
apec
2023+
TO-220
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
更多IXTH16P60P供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 11:44:00

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