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MDP7N60B

N-ChannelMOSFET600V,7.0A,1.15(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP7N60BTH

N-ChannelMOSFET600V,7.0A,1.15(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP7N60TH

N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP7N60TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MGP7N60E

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGP7N60E

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP7N60ED

InsulatedGateBipolarTransistorwithrAnti-ParallelDiode

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packaged withasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringboth

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MS7N60

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MSF7N60

600VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTN7N60BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTA7N60P

  • 功能描述：

    MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-263
96
詢價(jià)
IXYS
23+
TO-263
9500
專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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23+
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
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##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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更多IXTA7N60P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 15:30:00

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