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IXGM20N60A	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM20N60A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-204AE 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：POWER MOSFET TO-3	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N60B	文件：85.86 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTMIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKC20N60C	文件：520.97 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package CoolMOS?PowerMOSFETinISOPLUS220?Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKC20N60C	文件：305.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Highpowerdissipation ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwitchingApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH20N60	文件：105.52 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH20N60	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTM20N60	文件：105.52 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM20N60	文件：302.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
JCS20N60ANH	文件：895.29 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60CAH	文件：845.91 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60CAH-O-CA-N-B	文件：845.91 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60FH	文件：4.22294 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60FH-O-F-N-B	文件：4.22294 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60FH-O-F-N-B	文件：1.58239 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
JCS20N60FH-R-F-N-B	文件：4.22294 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60WH	文件：889.66 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS20N60WH-O-W-N-B	文件：889.66 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JMP20N60A	文件：270.623 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IXGM20N60A
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
開關(guān)能量：
2mJ（開），2mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
100ns/600ns
測(cè)試條件：
480V，20A，82 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-204AE
供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AE
描述：
POWER MOSFET TO-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGM20N60A	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IXGM20N60A	IXYS/艾賽斯	專業(yè)鐵帽	TO-3	104	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXGM20N60A	IXYS	20+	TO3	35830	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IXGM20N60A	IXYS	2023+	97	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGM20N60A	IXYS	24+	97	35210	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IXGM20N60A	IXYS	23+	TO-3	71436	##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXGM20N60A	IXYS	24+	TO-204AE	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXGM21N50		24+	TO-3	216		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IXGM25N100A	IXYS	2016+	TO-3	6526	只做原裝正品!假一賠十!只要有上一定有貨的!	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	IXGM25N100A	IXYS	21+	TO-3	12588	原裝正品,自己庫(kù)存假一罰十	詢價(jià)

更多IXGM20N60A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 9:01:00

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