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IXFX120N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACMotorDrives ·BatteryCharges

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFX120N30P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicDiode ?LowQG ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitance ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavi

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N30T

GigaMOS Power MOSFET

GigaMOS?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?HighCurrentHandlingCapability ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowRDS(on) Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity A

IXYS

IXYS Corporation

FGA120N30D

300VPDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGPF120N30

300V,120APDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IXFH120N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK120N30T

GigaMOSPowerMOSFET

GigaMOS?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?HighCurrentHandlingCapability ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowRDS(on) Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity A

IXYS

IXYS Corporation

RM120N30DF

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFX120N30

  • 功能描述：

    MOSFET

  • N-Channel：

    Power MOSFET w/Fast Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190
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10000
公司只做原裝正品
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IXYS
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22+
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
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TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
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IXYS/艾賽斯
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS
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TO2473
9000
原裝正品，支持實單
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ixys
2023+
TO-247
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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更多IXFX120N30供應商 更新時間2024-10-25 14:15:00

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