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IXFQ14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC14N80P	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC14N80P	文件：324.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.77Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH14N80	文件：372.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH14N80	文件：100 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH14N80P	文件：372.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.72Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ14N80	文件：312.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=720mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFT14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV14N80PS	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH14N80	文件：372.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrentID=14A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotva	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH14N80	文件：80.97 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackage ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IXFQ14N80P
功能描述：
MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	24+	TO-3P	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳和潤天下電子科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	59620	原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	24+	TO-3P	8866		詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	19+	TO-3P	75790	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	1809+	TO-3P	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	21+	TO3P3 SC653	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)

更多IXFQ14N80P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 16:17:00

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