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IXFP20N50	文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ20N50	文件：312.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH20N50D	文件：163.08 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ?NormallyONMode ?Internationalstandardpackages ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Levelshifting ?Triggers ?SolidStateRelays ?CurrentRegulators ?Activeload	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT20N50D	文件：163.08 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ?NormallyONMode ?Internationalstandardpackages ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Levelshifting ?Triggers ?SolidStateRelays ?CurrentRegulators ?Activeload	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JMP20N50A	文件：250.171 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MSF20N50	文件：872.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSW20N50	文件：852.75 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTV20N50E	文件：273.05 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.240OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTV20N50E	文件：287.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTV20N50E	文件：297.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTW20N50E	文件：107.32 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTW20N50E	文件：193.73 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.24OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTW20N50E	文件：321.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTY20N50E	文件：214.71 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCE20N50	文件：607.75 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N50F	文件：607.75 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
PHW20N50E	文件：93.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES ?Repet	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJZ20N50	文件：583.48 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PSM20N50CT	文件：943.72 Kbytes Page：8 Pages	20A500VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RFP-20N50TP	文件：498.72 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENAnaren Microwave 安倫	ANAREN

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