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IC63LV1024-10T

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ICSI

Integrated Circuit Solution Inc

IC63LV1024-10TI

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ICSI

Integrated Circuit Solution Inc

IS63LV1024-10J

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024-10J

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024-10JI

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024-10K

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024-10K

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

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IS63LV1024-10T

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

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IS63LV1024-10TI

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS63LV1024-10KI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IS63LV1024-10KI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 9:00:00

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