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IS61LV12816L-10TL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10BI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10BLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10LQI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10LQLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10T	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS61LV12816L-10TL	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10TLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IS61LV12816L-10TL-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
2Mb（128K x 16）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
10ns
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IS61LV12816L-10TL-TR	ISSI	23+	44-TSOPII	71890	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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