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IS61LV12816L-10TLI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS61LV12816L-10TLI |
參數(shù)屬性 | IS61LV12816L-10TLI 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
功能描述 | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
文件大小 |
112.45 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-11-19 22:59:00 |
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更多IS61LV12816L-10TLI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
FEATURES
? High-speed access time: 8, 10 ns
? Operating Current: 50mA (typ.)
? Stand by Current: 700μA (typ.)
? TTL and CMOS compatible interface levels
? Single 3.3V power supply
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? Lead-free available
IS61LV12816L-10TLI屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS61LV12816L-10TLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IS61LV12816L-10TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
2Mb(128K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
23+ |
TSOPII44 |
7350 |
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ISSI |
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存儲器 |
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