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M4343

TiteLiquidTightCordgrips

HeycoHeyco.

海科

MJE4343

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?RespectivelycomplementtotypeMJE4350/4351/4352/4353 ?DCcurrentgainhFE=8(Min)@IC=16A APPLICATIONS ?Foruseinhighpoweraudioamplifierandswitchingregulatorcircuits

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJE4343

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?RespectivelycomplementtotypeMJE4350/4351/4352/4353 ?DCcurrentgainhFE=8(Min)@IC=16A APPLICATIONS ?Foruseinhighpoweraudioamplifierandswitchingregulatorcircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJE4343

High-Voltage-HighPowerTransistors

High-Voltage-HighPowerTransistors ...designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. Features ?HighCollector?EmitterSustainingVoltage? NPNPNP VCEO(sus)=160

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJE4343

High??oltageHighPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJE4343

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

High-Voltage-HighPowerTransistors ...designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. Features ?HighCollector?EmitterSustainingVoltage? NPNPNP VCEO(sus)=160

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJE4343

16AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON140-160VOLTS

...designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. ?HighCollector–EmitterSustainingVoltage— NPNPNP VCEO(sus)=140Vdc—MJE4342

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJE4343

POWERTRANSISTORS(16A,100-160V,125W)

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSiSTORS100-160VOLTS125WATTS MJE4340 MJE4341 MJE4342-->NPN MJE4343 MJE4350 MJE4351 MJE4352-->PNP MJE4353

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MJE4343

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?RespectivelycomplementtotypeMJE4350/4351/4352/4353 ?DCcurrentgainhFE=8(Min)@IC=16A APPLICATIONS ?Foruseinhighpoweraudioamplifierandswitchingregulatorcircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJE4343

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRLU4343

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRLU4343供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 16:30:00

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