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MJE4343分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE4343
廠商型號(hào)

MJE4343

參數(shù)屬性

MJE4343 封裝/外殼為TO-218-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 16A SOT93

功能描述

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
TRANS NPN 160V 16A SOT93

封裝外殼

TO-218-3

文件大小

142.66 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-27 11:52:00

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MJE4343規(guī)格書詳情

MJE4343屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJE4343晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

High-Voltage - High Power Transistors

. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits.

Features

? High Collector?Emitter Sustaining Voltage ?

NPN PNP

VCEO(sus) = 160 Vdc ? MJE4343 MJE4353

? High DC Current Gain ? @ IC = 8.0 Adc hFE = 35 (Typ)

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC

= 8.0 Adc

? These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE4343

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3.5V @ 2A,16A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    750μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 8A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    1MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 16A SOT93

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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