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IRLR024ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRLU024

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) ?Straightlead(IRLU024,SiHLU024) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLU024N

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

IRLU024N

Logic-LevelGateDrive

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

IRLU024N

Logic-LevelGateDrive

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRLR024ZPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
2015+
500
公司現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢價(jià)
IR
25+
TO-252
6500
十七年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送
 詢價(jià)
IR
2009+
TO-252
152
公司原裝現(xiàn)貨,熱賣(mài)中！
詢價(jià)
IR
24+
TO252
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IOR
25+23+
TO252
28266
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
18+
SOT-252
85600
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
 詢價(jià)
IR
1948+
SOT-252
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
IR
20+
DPAK
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
更多IRLR024ZPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-5 16:00:00

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