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IRLR2705	文件：193.8 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2705	文件：202.22 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2705	文件：1.09205 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures VDS=60VID=20A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLR2705	文件：335.11 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR2705	文件：965.08 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2705PBF	文件：257.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2705TRPBF	文件：911.58 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRLR2705TRPBF-TP	文件：2.19253 Mbytes Page：5 Pages	Marking：LR2705；Package：TO-252-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFE Features ?Vos=60Vlo=28A Rosny	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRLR2705PBF	文件：266.21 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2705PBF_15	文件：266.21 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLR2705
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市芯緯度科技有限公司	IRLR2705	臺(tái)灣VB	23+	TO-252	4020	公司現(xiàn)貨,有掛就有貨。	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRLR2705	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRLR2705	IR	24+	TO-252	10000		詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRLR2705	IR	23+	TO-252	35890		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRLR2705	IR	2015+	D-Pak	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRLR2705	IR	23+	D-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRLR2705	IR	24+	原廠封裝	12776	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRLR2705	IR	2020+	TO-252	1062	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRLR2705	IR	2020+	TO-252	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRLR2705	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)

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