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IRLR2905PBF	文件：310.73 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=0.027? ID=42A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905PBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905PBF_15	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905TR	文件：1.24193 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheUMWIRLR2905TRusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTec	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRLR2905TR	文件：1.17618 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheIRLR2905TRusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnol	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRLR2905TRPBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905TRPBF	文件：988.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR2905Z	文件：217.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905Z	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLR2905Z	文件：1.09339 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：266.77 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRLPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	LogicLevel	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRPBF	文件：1.09681 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLRU2905	文件：145.59 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLRU2905PBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR-U2905PBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLU2905PBF	文件：310.73 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=0.027? ID=42A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRLR2905PBF
功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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